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Title 

금속 산화물 패턴의 제조방법 및 이를 통해 제조된 금속 산화물 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터

 

Method for fabricating pattern of metal oxide and thin film transistor comprising the pattern of metal oxide thereby

Authors 

신용범조원주장현준이기중

Publisher 

한국생명공학연구원

Issue Date 

2015-6-9

Abstract 

본 발명은 고분자 패턴 구조체가 형성된 기판을 준비하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 패턴 구조체 상부를 덮는 마스크를 형성하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 마스크로 덮인 패턴 구조체 하부 측벽을 식각하여 공동(cavity)을 형성하는 단계(단계 3); 상기 단계 3까지 수행된 기판 상부에 금속 산화물을 도포하는 단계(단계 4); 및 상기 고분자 패턴 구조체를 제거하는 단계(단계 5); 를 포함하는 금속 산화물 패턴의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속 산화물 패턴의 제조방법은 탑-다운 공정 방식으로 생산하기 어려운 금속 산화물 패턴을 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 대면적 기판에 건식 및 습식 식각 공정없이 저비용으로 금속 산화물 패턴의 제조가 가능하다. 나아가, 식각 공정으로는 생산할 수 없는 특정 금속 산화물의 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 금속 산화물 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법은 비정질의 금속 산화물 패턴을 스퍼터 증착 방법으로 형성할 수 있어 용액 공정으로 제조되는 금속 산화물 패턴을 사용하는 박막 트랜지스터보다 우수한 전하이동도를 가진다.

Application No. 

10-2015-0081234

Patent No. 

10-1707535-0000

IPC 

Link 

http://link.kipris.or.kr/link/main/FullDoc.jsp?reg_key=4jLn6RaAi84A7NL71xinaQ%3D%3D=&APPLNO=1020150081234

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2019-05-02


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